第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点。

  宽禁带半导体契合了电力电子、光电子和微波射频等领域的节能需求。在电力电子领域，碳化硅功率器件相比硅器件可降低50%以上的能源损耗，减少75%以上的设备装置，有效提升能源转换率。在光电子领域，氮化镓具有光电转换效率高、散热能力好的优势，适合制造低能耗、大功率的照明器件。在射频领域，氮化镓射频器件具有效率高、功率密度高、带宽大的优势，带来高效、节能、更小体积的设备。

  和Si、GaAs等第一、二代半导体材料相比，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）拥有击穿电压高、禁带宽、导热率高、电子饱和速率高、载流子迁移率高等优点，是制作高频、高温、抗辐射器件的优异材料。SBD器件领域，碳化硅基SBD器件相较硅基SBD器件具有耐高压、高温不易失控及损耗小等特点；MOSFET器件领域，碳化硅基MOSFET器件相较硅基IGBT器件具有损耗小、导通电阻低及耐高压等特点。

  碳化硅衬底能制作成半绝缘型衬底及导电型衬底，分别外延碳化硅及氮化镓制作成功率器件或微波射频器件。功率电器领域，碳化硅器件可大幅度降低能耗及可耐高压高频，被大范围的应用在电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通及智能电网领域，2025年市场规模将超100亿；射频器件领域，碳化硅的高导热性能能够很好的满足5G通讯对高频性能和高功率解决能力的要求，2025年市场规模将超100亿。

  受制于碳化硅长晶速度、加工难度及缺陷密度，碳化硅的成本一直居高不下成为其扩大应用的难题。

  根据CASA的调研数据，2020年SiC电力电子器件价格同比进一步下降，但部分器件实际成交价与等同规格的Si器件价差已经缩小至2-2.5倍之间。目前市场上减少相关成本的主要方式有扩大晶圆尺寸、改进碳化硅长晶工艺及改进切片工艺等，未来其价差有望进一步缩小。

  根据CASAResearch数据，第三代半导体产业链中，衬底成本占器件总成本的47%，外延成本占器件总成本的23%，二者合计约70%，为碳化硅器件成型流程最具投资价值的环节。相较之下，12寸硅片的衬底与外延价值总计约占11%，因而碳化硅领域衬底及外延更具投资价值。

  竞争格局方面，从海内外公司业务布局、专利布局、盈利能力、技术实力及发展环境等角度来看，国内公司仅起步时间稍微落后，差距极小。考虑到行业整体处于产业化初期，受益于国内5G通讯、新能源等新兴起的产业的技术水平、产业化规模的世界领头羊，国内碳化硅器件巨大的应用市场空间将持续驱动上游半导体行业加快速度进行发展，国内碳化硅厂商有望成长为具有国际竞争力的企业。

  基于国防军工及新能源行业的高景气度，考虑到碳中和催动能源转型降低能耗，我们预计碳化硅行业将迎来加快速度进行发展期。建议关注中瓷电子、凤凰光学、亚光科技、海特高新、赛微电子、天岳先进、斯达半导、露笑科技、扬杰科技、三安光电等。

  SIC成本降低不达预期；SIC器件稳定性可靠性指标没有到达预期；国内SIC产业链跟国外差距进一步拉大的风险；宏观经济导致行业景气下降的风险。